[发明专利]MEMS气体传感器及其制作方法

摘要

本发明涉及气体检测技术领域，提供了MEMS气体传感器及其制作方法，MEMS气体传感器包括，单晶硅衬底；上氮化硅层与上氧化硅层，由下至上叠置于所述单晶硅衬底上表面；下氮化硅层，置于所述单晶硅衬底下表面；加热电极，置于所述上氧化硅层上；绝缘层，置于所述加热电极上；测量电极，置于所述绝缘层上；气体敏感层，置于所述测量电极上，且与所述测量电极电连接；隔热腔，位于所述上氮化硅层下方，将所述下氮化硅层及所述单晶硅衬底腐刻形成。本发明中，气体传感器本身精度高、重量轻、尺寸小，功耗低、效能高、成本低、能够大批量生产。

主权项

1.一种MEMS气体传感器，其特征在于，包括，单晶硅衬底；上氮化硅层与上氧化硅层，由下至上叠置于所述单晶硅衬底上表面；下氮化硅层，置于所述单晶硅衬底下表面；加热电极，置于所述上氧化硅层上；绝缘层，置于所述加热电极上，绝缘层上设有连接孔；测量电极，置于所述绝缘层上，且通过所述连接孔与所述加热电极连通；气体敏感层，置于所述测量电极上，且与所述测量电极电连接；隔热腔，位于所述上氮化硅层下方，将所述下氮化硅层及所述单晶硅衬底腐刻形成；有两个所述加热电极，每个所述加热电极均自所述隔热腔的正上方延伸至所述单晶硅衬底的正上方，两个所述加热电极以所述隔热腔的中心为对称中心且相互间隔摆放；所述绝缘层横跨在两个所述加热电极表面，并延伸至上氧化层在所述隔热腔正上方的表面；所述气体敏感层横跨在两个所述加热电极正上方；其中，所述气体敏感层中掺加有贵金属，所述贵金属的掺加质量比为1~5%；所述加热电极为多晶硅离子形成，且掺杂有磷，且磷所占浓度比例为1%至3%。