[发明专利]一种MEMS器件及其制作方法和电子装置有效
| 申请号： | 201510084494.0 | 申请日： | 2015-02-16 |
| 公开（公告）号： | CN105984835B | 公开（公告）日： | 2017-11-10 |
| 发明（设计）人： | 何昭文 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;B81C3/00;B81B1/00 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所11336 | 代理人： | 董巍,高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种MEMS器件及其制作方法和电子装置，所述方法包括提供器件晶圆，所述器件晶圆包括MEMS元件，围绕MEMS元件的密封环和位于密封环外侧的若干焊盘，以及暴露密封环的第一开口和暴露所述焊盘的第二开口；提供盖帽晶圆，在盖帽晶圆上形成与所述密封环位置对应的环状的第一凸起结构和与所述焊盘位置对应的第二凸起结构；在第一凸起结构上形成第一键合层；进行键合工艺，以使所述第一键合层与所述密封环相键合，并使得部分第二凸起结构位于第二开口内且与所述焊盘间隔。根据本发明的方法，有效阻止切割过程中产生的硅碎屑污染焊盘，进而提高了所述MEMS器件的性能和良率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mems 器件 及其 制作方法 电子 装置 | ||
【主权项】：
一种MEMS器件的制作方法，包括：提供器件晶圆，所述器件晶圆包括MEMS元件，围绕所述MEMS元件的密封环和位于所述密封环外侧的若干焊盘，以及暴露所述密封环的第一开口和暴露所述焊盘的第二开口；提供盖帽晶圆，在所述盖帽晶圆上形成与所述密封环位置对应的环状的第一凸起结构和与所述焊盘位置对应的第二凸起结构；在所述第一凸起结构上形成第一键合层；进行键合工艺，以使所述第一键合层与所述密封环相键合，并使得部分所述第二凸起结构位于所述第二开口内且与所述焊盘间隔。
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