[发明专利]MEMS压力传感器及其形成方法有效
申请号: | 201510084520.X | 申请日: | 2015-02-16 |
公开(公告)号: | CN104655334B | 公开(公告)日: | 2017-05-03 |
发明(设计)人: | 周文卿 | 申请(专利权)人: | 迈尔森电子(天津)有限公司 |
主分类号: | G01L1/14 | 分类号: | G01L1/14;G01L9/12;G01L23/12;B81B3/00;B81C1/00 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人: | 应战,骆苏华 |
地址: | 300381 天津市南开*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | 一种MEMS压力传感器及其形成方法,形成方法包括提供包括第一表面和第二表面的第一衬底,第一衬底包括导电层,导电层位于第一衬底的第一表面一侧;提供包括第三表面和第四表面的第二衬底,第二衬底包括第二基底和压敏电极,第二衬底包括压力传感区,压敏电极位于压力传感区内,压敏电极位于第二衬底的第三表面一侧;将第一衬底的第一表面与第二衬底的第三表面相互固定,并在第一衬底与第二衬底的压力传感区之间形成空腔;去除第二基底,形成与第二衬底的第三表面相对的第五表面;自第二衬底的第五表面一侧形成贯穿至导电层的第一导电插塞,实现导电层与压敏电极形成电连接。MEMS压力传感器的性能和可靠性提高、尺寸缩小、工艺成本降低。 | ||
搜索关键词: | mems 压力传感器 及其 形成 方法 | ||
【主权项】:
一种MEMS压力传感器的形成方法,其特征在于,包括:提供第一衬底,所述第一衬底包括相对的第一表面和第二表面,所述第一衬底包括至少一层导电层,所述导电层位于所述第一衬底的第一表面一侧;提供第二衬底,所述第二衬底包括相对的第三表面和第四表面,所述第二衬底包括第二基底以及位于第二基底上的压敏电极,所述第二衬底包括压力传感区,所述压敏电极位于所述压力传感区内,所述压敏电极位于所述第二衬底的第三表面一侧;将第一衬底的第一表面与第二衬底的第三表面相互固定;在所述第一衬底与第二衬底的压力传感区之间形成空腔;去除所述第二基底,形成与所述第二衬底的第三表面相对的第五表面;自所述第二衬底的第五表面一侧形成贯穿至至少一层所述导电层的第一导电插塞,所述第一导电插塞用于将所述导电层与压敏电极形成电连接。
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