[发明专利]具有电容耦合的接合焊盘的功率晶体管管芯有效
| 申请号： | 201510084864.0 | 申请日： | 2015-02-17 |
| 公开（公告）号： | CN104867893B | 公开（公告）日： | 2018-01-19 |
| 发明（设计）人： | A.比尔纳;H.布雷希;S.格尔;R.威尔逊;M.齐格尔德伦 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/485 | 分类号： | H01L23/485;H01L27/06 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司72001 | 代理人： | 蒋骏,胡莉莉 |
| 地址： | 德国瑙伊比*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 具有电容耦合的接合焊盘的功率晶体管管芯。一种功率晶体管管芯包括形成在半导体本体中的晶体管。该晶体管具有栅极端子、输出端子和第三端子。栅极端子控制输出端子和第三端子之间的导电通道。功率晶体管管芯进一步包括布置在半导体本体上并与该半导体本体绝缘的结构化的第一金属层。该结构化的第一金属层连接到晶体管的输出端子。功率晶体管管芯还包括布置在半导体本体上并与该半导体本体绝缘的第一接合焊盘。第一接合焊盘形成功率晶体管管芯的输出端子并电容耦合到结构化的第一金属层以便在晶体管的输出端子和第一接合焊盘之间形成串联电容。还提供了一种包括该功率晶体管管芯的功率半导体封装。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 电容 耦合 接合 功率 晶体管 管芯 | ||
【主权项】：
一种功率晶体管管芯，包括：形成在半导体本体中的晶体管，所述晶体管包括栅极端子、第一输出端子和第三端子，所述栅极端子控制所述第一输出端子和所述第三端子之间的导电通道；布置在所述半导体本体上并通过介电材料与所述半导体本体分离的结构化的第一金属层，所述结构化的第一金属层连接到所述晶体管的所述第一输出端子；和布置在所述半导体本体上并通过介电材料与所述半导体本体分离的第一接合焊盘，所述第一接合焊盘形成所述功率晶体管管芯的第二输出端子并与所述晶体管流电隔离且仅通过介电材料来电容耦合到所述结构化的第一金属层以便在所述晶体管的所述第一输出端子和所述第一接合焊盘之间形成串联电容。
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