[发明专利]用于改善晶片蚀刻不均匀性的系统和方法

摘要

本发明涉及用于改善晶片蚀刻不均匀性的系统和方法。衬底处理系统包括处理室，处理室包括介电窗和用于在处理期间支撑衬底的底座。气体供给系统向所述处理室供给气体。线圈邻近所述介电窗布置在所述处理室外侧。射频(RF)源供给RF信号至所述线圈以在所述处理室内产生射频等离子体。N个通量衰减区段布置成与所述线圈相邻的间隔开的模式，其中，N是大于1的整数。

主权项

1.一种衬底处理系统，其包括：处理室，其包括介电窗和用于在处理期间支撑衬底的底座；气体供给系统，其被配置成向所述处理室供给气体；线圈，其邻近所述介电窗布置在所述处理室外侧；射频(RF)源，其被配置成供给RF信号至所述线圈以在所述处理室内产生射频等离子体；被布置在所述线圈和所述介电窗之间的气体充气室，其中所述气体充气室包括主体；以及N个通量衰减区段，其邻近所述线圈以间隔开的模式布置，其中，N是大于1的整数，其中有至少以下一种情形所述N个通量衰减区段连接到所述充气室的所述主体，且所述N个通量衰减区段从所述主体向外延伸，以及环状部分围绕所述线圈布置，其中所述N个通量衰减区段连接到所述环状部分，且所述N个通量衰减区段从所述环状部分向内延伸。