[发明专利]覆晶式发光二极管及其制造方法在审
| 申请号： | 201510085454.8 | 申请日： | 2015-02-17 |
| 公开（公告）号： | CN105990494A | 公开（公告）日： | 2016-10-05 |
| 发明（设计）人： | 黄秀璋 | 申请（专利权）人： | 黄秀璋 |
| 主分类号： | H01L33/48 | 分类号： | H01L33/48;H01L33/64;H01L33/62 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 陈亮 |
| 地址： | 中国台湾新北市*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明有关于一种覆晶式发光二极管及其制造方法。覆晶式发光二极管包括第一金属片、第二金属片、接合材料以及发光二极管芯片。第一金属片与第二金属片之间具有一间隙，接合材料注入到此间隙当中并被固化，以将第一金属片与第二金属片接合在一起。固化后的接合材料具有一顶面，其与第一金属片与第二金属片的顶面齐平。发光二极管芯片透过焊料分别第一金属片的顶面和第二金属片的顶面接合，其中，发光二极管芯片具有一正极和一负极，其分别与第一金属片与第二金属片上的电路图案电连接。 | ||
| 搜索关键词： | 覆晶式 发光二极管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种覆晶式发光二极管，包括：第一金属片；第二金属片，与该第一金属片之间具有一间隙；接合材料，该接合材料被注入到该第一金属片与该第二金属片之间的该间隙中并固化，以将该第一金属片与该第二金属片接合在一起，且固化的该接合材料具有一顶面，该顶面与该第一金属片与该第二金属片的顶面齐平；以及发光二极管芯片，其透过焊料分别与该第一金属片的该顶面和该第二金属片的该顶面接合，该发光二极管芯片具有一正极和一负极，该正极与该第一金属片上的电路图案电连接，且该负极系与该第二金属片上的电路图案电连接。
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