[发明专利]薄膜晶体管

摘要

本发明公开了一种薄膜晶体管，其包括栅极、第一栅极介电层、第二栅极介电层、通道层、源极和漏极。栅极设置在基板上。第一栅极介电层设置在栅极及基板上，第一栅极介电层的硅氢键含量与氮氢键含量的比值介于0.2与1.0之间。第二栅极介电层设置在第一栅极介电层上，第二栅极介电层的硅氢键含量与氮氢键含量的比值介于0.01与0.2之间。通道层设置在第二栅极介电层上。源极和漏极设置在通道层上且位于通道层的相对两侧。本发明的薄膜晶体管应用在显示面板上，可提升显示面板中像素的反应速度，进而改善画面残影的问题。

主权项

1.一种薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管包括：栅极，其设置在基板上；第一栅极介电层，其设置在所述栅极和所述基板上且直接接触所述栅极，所述第一栅极介电层的硅氢键含量与氮氢键含量的比值介于0.2与1.0之间；第二栅极介电层，其直接设置在所述第一栅极介电层上，所述第二栅极介电层的硅氢键含量与氮氢键含量的比值介于0.01与0.2之间；通道层，其设置在所述第二栅极介电层上且直接接触所述第二栅极介电层；以及源极和漏极，其均设置在所述通道层上，所述源极和所述漏极位于所述通道层的相对两侧，且所述源极与所述漏极之间具有间隔；其中，所述第二栅极介电层的厚度介于300埃与750埃之间，所述第一栅极介电层的厚度与所述第二栅极介电层的厚度的和介于2000埃与4000埃之间，所述第一栅极介电层的介电常数介于5与7之间，且所述第二栅极介电层的介电常数介于6与7之间。