[发明专利]一种透明导电氧化物图案消隐结构、触控面板及显示装置有效

专利信息
申请号: 201510085551.7 申请日: 2015-02-17
公开(公告)号: CN104571721B 公开(公告)日: 2018-11-23
发明(设计)人: 杨文娟 申请(专利权)人: 合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司
主分类号: G06F3/041 分类号: G06F3/041
代理公司: 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 代理人: 黄志华
地址: 230011 *** 国省代码: 安徽;34
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摘要: 发明公开了一种透明导电氧化物图案消隐结构、触控面板及显示装置,在衬底基板上层叠设置具有特定图案的透明导电氧化物层,以及可使透明导电氧化物层的特定图案在可见光下不可见的图案消隐层,这样可以在制作透明导电氧化物层图案时制作出整层设置的图案消隐层,不必增加贴附或构图工艺,即可在较低制作成本下,达到透明导电氧化物层图案从清晰可见到在可见光下不可见的效果。
搜索关键词: 图案 透明导电氧化物层 消隐 透明导电氧化物 可见光 触控面板 显示装置 不可见 衬底基板 构图工艺 时制 贴附 制作 上层
【主权项】:
1.一种透明导电氧化物图案消隐结构,其特征在于,包括:衬底基板,在所述衬底基板上设置的具有特定图案的透明导电氧化物层,设置在所述衬底基板和所述透明导电氧化物层之间的至少一组介质薄膜层组,以及设置于所述透明导电氧化物层远离所述介质薄膜层组一侧的第三介质薄膜层;其中,各所述介质薄膜层组包括层叠设置的折射率从所述衬底基板指向所述透明导电氧化物层依次递减的至少两层介质薄膜层;各所述介质薄膜层组包括:第一介质薄膜层和位于所述第一介质薄膜层上的第二介质薄膜层;所述第二介质薄膜层的折射率小于所述第一介质薄膜层的折射率;所述第一介质薄膜层的折射率为1.9至2.2;所述第二介质薄膜层的折射率为1.4至1.6;所述第三介质薄膜层的材料为SiNxOy。
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