[发明专利]用于生长碳纳米管的方法有效
| 申请号： | 201510085610.0 | 申请日： | 2015-02-16 |
| 公开（公告）号： | CN105984862B | 公开（公告）日： | 2018-08-28 |
| 发明（设计）人： | 张敏;吴玉翠 | 申请（专利权）人： | 北京大学深圳研究生院 |
| 主分类号： | C01B32/16 | 分类号： | C01B32/16;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 北京天驰君泰律师事务所 11592 | 代理人： | 沈超 |
| 地址： | 518055 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本申请涉及一种用于生长碳纳米管的方法，包括：制备表面覆盖有纳米颗粒的衬底；以所述纳米颗粒作为刻蚀掩模，对所述衬底进行刻蚀；将所述纳米颗粒从所述衬底上去除；在所述衬底上淀积催化剂；以及在淀积有催化剂的所述衬底上生长碳纳米管。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 生长 纳米 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于生长碳纳米管的方法，包括：制备表面覆盖有纳米颗粒的衬底，所述制备包括在所述衬底上涂覆所述纳米颗粒；以所述纳米颗粒作为刻蚀掩模，对所述衬底进行刻蚀；将所述纳米颗粒从所述衬底上去除；在所述衬底上淀积催化剂，其中淀积在所述衬底被刻蚀部分上以及在所述纳米颗粒下的所述衬底未经刻蚀的部分上的催化剂彼此不相连；以及在淀积有催化剂的所述衬底上生长碳纳米管。
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