[发明专利]节能型柔性透明导电薄膜及其制备方法

摘要

本发明提供一种节能型柔性透明导电薄膜的制备方法，成膜后无须高温退火，减少能耗；膜晶化程度达到80％，适合于大规模、产业化生产。该方法使用在一个真空镀膜腔内的多个磁控溅射装置，各磁控溅射装置包括以惰性气体作为工作气体、以氧气为反应气体的溅射腔、位于溅射腔内的靶材，连续移动的柔性透明基材依次通过各靶机的溅射腔，柔性透明基材温度<80℃，通过控制通入各溅射腔的氧气和惰性气体的流量，使得靶材或靶材氧化物一次性沉积在柔性透明基材上。本发明还提供一种透光率高，电阻率低，色度值低的节能型柔性透明导电薄膜，它包括柔性透明基材及依次沉积在柔性透明基材上的SiO2层、Nb2O5层、Nb2Ox层(x＝4.5‑4.98)、SiO2层、银层或铜层、半导体氧化物层。

主权项

节能型柔性透明导电薄膜制备方法，该制备方法使用在一个真空镀膜腔内的多个磁控溅射装置，各磁控溅射装置包括以惰性气体作为工作气体、以氧气为反应气体的溅射腔、位于溅射腔内的靶材，其特征是，各溅射腔内的气体压力相等；连续移动的柔性透明基材依次通过靶材分别是单晶Si、Nb2Ox、Nb2Ox、单晶Si、银或铜、半导体氧化物的第一至第六磁控溅射装置；除第五磁控溅射装置外，其它磁控溅射装置的溅射腔均通入作为反应气体的氧气；柔性透明基材温度<80℃，通过各磁控溅射装置的溅射，并控制通入各溅射腔的氧气和惰性气体的流量，在通过电离辉光表面杂质与粗糙度处理的柔性透明基材上依次一次性沉积SiO2、Nb2O5、Nb2Ox、SiO2、银或铜、半导体氧化物；x=4.5‑4.98；第一磁控溅射装置中，氧气流量12sccm、氩气流量500sccm、溅射功率2.0KW，真空度达到4E‑3torr；第二磁控溅射装置中，氧气流量50sccm、氩气流量400sccm、溅射功率16.4KW，真空度达到4E‑3torr；第三磁控溅射装置中，氧气流量10sccm、氩气流量500sccm、溅射功率10.0KW，真空度达到4E‑3torr；第四磁控溅射装置中，氧气流量30sccm、氩气流量450sccm、溅射功率20.0KW，真空度达到4E‑3torr；第五磁控溅射装置中，氩气流量400sccm、溅射功率6.0KW，真空度达到4E‑3torr；第六磁控溅射装置中，氧气流量2sccm、氩气流量300sccm、溅射功率4.0KW，真空度达到4E‑3torr。