[发明专利]一种SRAM及其制造方法、电子装置有效
| 申请号： | 201510086298.7 | 申请日： | 2015-02-17 |
| 公开（公告）号： | CN105990348B | 公开（公告）日： | 2019-10-25 |
| 发明（设计）人： | 张弓;王颖倩 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/11 | 分类号： | H01L27/11;H01L21/8244 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种SRAM及其制造方法、电子装置，所述SRAM包括至少一PG晶体管，其中所述PG晶体管的源区和漏区具有不同的掺杂浓度，所述PG晶体管的制造方法包括：提供半导体衬底，在半导体衬底上形成有鳍片，在鳍片的两端形成有隔离结构；在鳍片的一端形成第一凹槽，并在第一凹槽中外延生长高掺杂浓度外延层；在鳍片的另一端形成第二凹槽，并在第二凹槽中外延生长低掺杂浓度外延层；在鳍片的两侧及顶部形成栅极结构。根据本发明，在不改变PU、PD和PG的数量关系的前提下，可以有效提升所述SRAM的静态噪声容限和写容限。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 sram 及其 制造 方法 电子 装置 | ||
【主权项】：
1.一种SRAM的制造方法，所述SRAM包括至少一PG晶体管，其中所述PG晶体管的源区和漏区具有不同的掺杂浓度，所述PG晶体管的制造方法包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有鳍片(201)，在所述鳍片的两端形成有隔离结构(200)；在所述鳍片的一端形成第一凹槽(204)，并在所述第一凹槽中外延生长高掺杂浓度外延层(205)；在所述鳍片的另一端形成第二凹槽(208)，并在所述第二凹槽中外延生长低掺杂浓度外延层(209)；在所述鳍片的两侧及顶部形成栅极结构；其中，所述低掺杂浓度外延层的掺杂浓度比所述高掺杂浓度外延层的掺杂浓度低。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
