[发明专利]一种SiNCB陶瓷材料的制备方法有效
申请号: | 201510086371.0 | 申请日: | 2015-02-17 |
公开(公告)号: | CN104591741B | 公开(公告)日: | 2017-01-04 |
发明(设计)人: | 杨治华;张茜;蔡德龙;贾德昌;周玉 | 申请(专利权)人: | 哈尔滨工业大学 |
主分类号: | C04B35/58 | 分类号: | C04B35/58;C04B35/622 |
代理公司: | 哈尔滨市松花江专利商标事务所23109 | 代理人: | 侯静 |
地址: | 150001 黑龙*** | 国省代码: | 黑龙江;23 |
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摘要: | 一种SiNCB陶瓷材料的制备方法,涉及一种陶瓷材料的制备方法。本发明是要解决现有方法制备的SiNCB陶瓷材料容易析晶,高温下不稳定的问题。方法:一、将氮源、硅源、缚酸剂和溶剂放入具有惰性气体保护的反应器中,室温条件下反应;二、将反应产物真空抽滤,与硼烷四氢呋喃混合,放入反应器中反应;三、向反应器中加入三氯化硼正己烷溶液,反应后升温至室温;四、将产物抽滤,真空旋转蒸发,得到陶瓷前驱体;五、将陶瓷前驱体放入管式炉中,热解,随炉冷却至室温,即得到SiNCB陶瓷材料。在1450℃下具有优良的抗氧化性,可长期使用不分解,不晶化。本发明应用于硅基陶瓷材料领域。 | ||
搜索关键词: | 一种 sincb 陶瓷材料 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种SiNCB陶瓷材料的制备方法,其特征在于该方法按以下步骤进行:一、将氮源、硅源、缚酸剂和溶剂放入具有惰性气体保护的反应器中,室温条件下反应16h,其中氮源和硅源的摩尔比为1~2:1,硅源和溶剂的摩尔比为1:1~5,硅源和缚酸剂的摩尔比为2:1;二、将步骤一的反应产物进行真空抽滤,将抽滤后的液体与2mol/L的硼烷四氢呋喃按照1:1的摩尔比混合,放入具有惰性气体保护的反应器中,在0℃的条件下反应12h;三、然后向反应器中加入1mol/L的三氯化硼正己烷溶液,反应器中的产物与三氯化硼正己烷溶液的摩尔比为1:3,在0℃的条件下反应12h后升温至室温;四、将步骤三得到的产物进行抽滤,将所得滤液进行真空旋转蒸发处理,得到的粘稠状液体即为SiNCB陶瓷前驱体;五、将SiNCB陶瓷前驱体放入管式炉中,在氩气或者氮气气氛下进行热解,然后随炉冷却至室温,即得到SiNCB陶瓷材料;步骤一中硅源为甲基乙烯硅氮烷基甲基氢硅氮烷共聚物,甲基乙烯硅氮烷基甲基氢硅氮烷共聚物的制备方法为:由甲基氢氯硅烷、甲基乙烯氯硅烷和氨气为原料,以甲苯为溶剂在70℃回流6h制备而得。
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