[发明专利]具有变化栅极结构的集成电路及其制法有效
| 申请号： | 201510086610.2 | 申请日： | 2015-02-17 |
| 公开（公告）号： | CN104867824B | 公开（公告）日： | 2020-04-17 |
| 发明（设计）人： | M·乔希;M·埃勒;R·J·卡特;S·B·萨玛瓦丹姆 | 申请（专利权）人： | 格罗方德半导体公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 英属开曼群*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种具有变化栅极结构的集成电路及其制法。该集成电路包括：设于衬底结构上方的变化栅极结构，该变化栅极结构包括位于该衬底结构的第一区域中的第一栅极堆叠，以及位于该衬底结构的第二区域中的第二栅极堆叠；位于该第一区域中的第一场效应晶体管，该第一场效应晶体管包括该第一栅极堆叠并具有第一阈值电压；以及位于该第二区域中的第二场效应晶体管，该第二场效应晶体管包括该第二栅极堆叠并具有第二阈值电压，其中，该第一阈值电压不同于该第二阈值电压。该方法包括设置该变化栅极结构，该设置包括：设定该变化栅极结构的层的尺寸，使其在不同区域中具有不同厚度。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 变化 栅极 结构 集成电路 及其 制法 | ||
【主权项】：
一种装置，包括：集成电路，该集成电路包括：变化栅极结构，设于衬底结构上方，该变化栅极结构包括位于该衬底结构的第一区域中的第一栅极堆叠，以及位于该衬底结构的第二区域中的第二栅极堆叠，其中，该第一栅极堆叠不同于该第二栅极堆叠；第一场效应晶体管，位于该衬底结构的该第一区域中，该第一场效应晶体管包括该变化栅极结构的该第一栅极堆叠并具有第一阈值电压；以及第二场效应晶体管，位于该衬底结构的该第二区域中，该第二场效应晶体管包括该变化栅极结构的该第二栅极堆叠并具有第二阈值电压，其中，该第一阈值电压不同于该第二阈值电压。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
