[发明专利]一种半导体器件及其制备方法、电子装置在审
| 申请号： | 201510086614.0 | 申请日： | 2015-02-17 |
| 公开（公告）号： | CN105990429A | 公开（公告）日： | 2016-10-05 |
| 发明（设计）人： | 肖德元;徐依协 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/10;H01L29/16;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 高伟;冯永贞 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体器件及其制备方法、电子装置。所述半导体器件，包括：半导体衬底；后部栅极，位于所述半导体衬底上；第一栅极介电层，位于所述后部栅极上；沟道层，位于所述第一栅极介电层上，其中所述沟道层包括至少一层硅烯；第二栅极介电层，位于所述沟道层上；前部栅极，位于所述第二栅极介电层上。在所述半导体器件中所述硅烯具有单层二维蜂窝状网格结构，和石墨烯类似的结构和性质，由于所述硅烯极薄因此制备得到的硅烯场效应晶体管尺寸更小，具有更短的沟道长度以及更高速度，避免遭遇短沟道效用的不利影响。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制备 方法 电子 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：半导体衬底；后部栅极，位于所述半导体衬底上；第一栅极介电层，位于所述后部栅极上；沟道层，位于所述第一栅极介电层上，其中所述沟道层包括至少一层硅烯；第二栅极介电层，位于所述沟道层上；前部栅极，位于所述第二栅极介电层上。
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