[发明专利]复合镀膜、其制备方法和电子元件有效
申请号: | 201510086618.9 | 申请日: | 2015-02-17 |
公开(公告)号: | CN105984177B | 公开(公告)日: | 2019-01-22 |
发明(设计)人: | 胡毓;丁冬雁;刘婷 | 申请(专利权)人: | 西门子公司 |
主分类号: | B32B15/01 | 分类号: | B32B15/01;C25D5/12;H01L23/495 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 李慧 |
地址: | 德国*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | 本发明提供了一种复合镀膜,所述复合镀膜位于基材上,且包含多层亚光锡镀膜和位于所述多层亚光锡镀膜与所述基材之间的镍阻挡层,其中在从基材到所述多层亚光镀锡膜顶表面的方向上,所述多层亚光锡镀膜包括自底层至顶层依次交替叠加的第一锡镀层和第二锡镀层,所述第一锡镀层以第一电流密度电镀形成,所述第二锡镀层以小于第一电流密度的第二电流密度电镀形成。在冷热循环和/或高温湿热条件下,本发明的复合镀膜仍然能够有效抑制锡镀层表面的晶须生长。 | ||
搜索关键词: | 复合 镀膜 制备 方法 电子元件 | ||
【主权项】:
1.复合镀膜,所述复合镀膜位于基材上,且包含多层亚光锡镀膜和位于所述多层亚光锡镀膜与所述基材之间的镍阻挡层,其中在从基材到所述多层亚光镀锡膜顶表面的方向上,所述多层亚光锡镀膜包括自底层至顶层依次交替叠加的第一锡镀层和第二锡镀层,所述第一锡镀层以第一电流密度电镀形成,所述第二锡镀层以小于第一电流密度的第二电流密度电镀形成,所述镍阻挡层厚度为小于0.5微米。
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