[发明专利]存储元件及其制造方法

摘要

本发明提供了一种存储元件及其制造方法。该存储元件包括基底、第一掺杂区、多个复合结构、多个字线以及电荷储存层。第一掺杂区位于基底表面。多个复合结构位于第一掺杂区上。每一复合结构包括两个半导体鳍状结构以及介电层。每一半导体鳍状结构包括第二掺杂区，位于每一半导体鳍状结构的上部；以及基体区，位于第二掺杂区与第一掺杂区之间。介电层位于半导体鳍状结构之间。多个字线位于基底上。每一字线覆盖每一复合结构的部分侧壁与部分顶部。电荷储存层位于复合结构与字线之间。

主权项

1.一种存储元件，其特征在于，包括：一基底；一第一掺杂区，位于该基底表面；多个复合结构，位于该第一掺杂区上，每一复合结构包括：两个半导体鳍状结构，每一半导体鳍状结构包括一第二掺杂区，位于每一半导体鳍状结构的上部；以及一基体区，位于该第二掺杂区与该第一掺杂区之间；以及一介电层，位于该些半导体鳍状结构之间；多个字线，位于该基底上，每一字线覆盖每一复合结构的部分侧壁与部分顶部；以及一电荷储存层，位于该些复合结构与该些字线之间。