[发明专利]制造用于热辅助磁记录光输送的干涉测量锥形波导管的方法在审
| 申请号： | 201510087334.1 | 申请日： | 2015-02-25 |
| 公开（公告）号： | CN104868221A | 公开（公告）日： | 2015-08-26 |
| 发明（设计）人： | D·万;G·伊;L·赵;H·孙;Y·李 | 申请（专利权）人： | 西部数据（弗里蒙特）公司 |
| 主分类号： | H01P11/00 | 分类号： | H01P11/00 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 赵蓉民;张全信 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明的名称是制造用于热辅助磁记录光输送的干涉测量锥形波导管的方法。以高临界尺寸均匀性和小线边缘粗糙度制造用于热辅助磁记录(HAMR)头的干涉测量锥形波导管(I-TWG)的方法，其中该方法包括形成I-TWG薄膜堆栈，其中在I-TWG芯层上的两个硬掩模层被夹在两个包层之间，使用深紫外光刻在I-TWG薄膜堆栈上限定光敏抗蚀剂图案，使用反应离子蚀刻(RIE)转移所述图案至第一硬掩模层，使用RIE在第二硬掩模层上形成临时的I-TWG图案，使用RIE转移临时的图案至I-TWG芯，再填充包层和使用化学机械平面化(CMP)进行平面化。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 用于 辅助 记录 输送 干涉 测量 锥形 波导管 方法 | ||
【主权项】：
制造波导管的方法，所述方法包括：沉积薄膜堆栈，所述薄膜堆栈包括第一硬掩模层、第二硬掩模层、第一包层、芯层和第二包层；在光敏抗蚀剂层中限定第一图案；转移所述第一图案至所述第一硬掩模层；去除所述光敏抗蚀剂层；形成从所述第一硬掩模层中的所述第一图案图案化的在所述第二硬掩模层中的第二图案；转移所述第二图案至所述芯层；和使所述波导管的顶表面平面化。
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