[发明专利]半导体装置、其制造方法和可变电阻存储器件在审
申请号: | 201510087357.2 | 申请日: | 2015-02-25 |
公开(公告)号: | CN105097933A | 公开(公告)日: | 2015-11-25 |
发明(设计)人: | 徐准敎;崔康植 | 申请(专利权)人: | 爱思开海力士有限公司 |
主分类号: | H01L29/78 | 分类号: | H01L29/78;H01L21/336 |
代理公司: | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人: | 俞波;周晓雨 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 一种半导体装置包括:半导体衬底;以及多个柱体,形成在所述半导体衬底中。所述多个柱体中的每个包括:第一柱体;以及第二柱体,形成在所述第一柱体上,其中,所述第二柱体具有小于所述第一柱体的线宽。 | ||
搜索关键词: | 半导体 装置 制造 方法 可变 电阻 存储 器件 | ||
【主权项】:
一种半导体装置,包括:半导体衬底;以及多个柱体,形成在所述半导体衬底中,其中,所述多个柱体中的每个包括:第一柱体;以及第二柱体,形成在所述第一柱体上,其中,所述第二柱体具有小于所述第一柱体的线宽。
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