[发明专利]光子晶体光纤端面研磨抛光方法及由此获得的器件在审
申请号: | 201510087651.3 | 申请日: | 2015-02-26 |
公开(公告)号: | CN104625944A | 公开(公告)日: | 2015-05-20 |
发明(设计)人: | 华勇;卜继军;李伦聪;田自君;黄健 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第四十四研究所 |
主分类号: | B24B37/10 | 分类号: | B24B37/10;G01C19/72;G01R19/00 |
代理公司: | 重庆辉腾律师事务所 50215 | 代理人: | 侯懋琪 |
地址: | 400060 重庆*** | 国省代码: | 重庆;85 |
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摘要: | 一种光子晶体光纤端面研磨抛光方法,在光子晶体光纤的端面孔隙内预先填充低折射率光学胶,待低折射率光学胶固化后,对光子晶体光纤端面进行光学级的研磨抛光处理;所述低折射率光学胶的折射率小于光子晶体光纤芯层材料的折射率。本发明的有益技术效果是:使光子晶体光纤端面可以在常规研磨抛光工艺条件下进行光学级研磨抛光,同时,解决了光子晶体光纤端面与光波导芯片耦合固接时胶体浸入光子晶体光纤内部的问题。 | ||
搜索关键词: | 光子 晶体 光纤 端面 研磨 抛光 方法 由此 获得 器件 | ||
【主权项】:
一种光子晶体光纤端面研磨抛光方法,其特征在于:在光子晶体光纤的端面孔隙内预先填充低折射率光学胶,待低折射率光学胶固化后,对光子晶体光纤端面进行光学级的研磨抛光处理;所述低折射率光学胶的折射率小于光子晶体光纤芯层材料的折射率。
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