[发明专利]紧凑型三维存储器在审
| 申请号： | 201510088396.4 | 申请日： | 2015-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN105931659A | 公开（公告）日： | 2016-09-07 |
| 发明（设计）人： | 张国飙 | 申请（专利权）人： | 杭州海存信息技术有限公司 |
| 主分类号： | G11C5/02 | 分类号： | G11C5/02;H01L27/10 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 310051 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提出一种紧凑型三维存储器（3D-MC）。通过在地址线上形成简易开关器件，接触通道孔可以被同一存储层中、或者不同存储层中的地址线共享。这使接触通道孔变得更稀疏，以实现稀疏通道孔。稀疏通道孔对三维集成电路（3D-IC）的实现有重要意义。 | ||
| 搜索关键词： | 紧凑型 三维 存储器 | ||
【主权项】：
一种含有至少一堆叠在一半导体衬底(0)上第一存储层(10)的紧凑型三维存储器（3D‑MC），该第一存储层的特征在于含有：一连续且导电的第一x地址线(11a)；一将该第一x地址线(11a)与该半导体衬底(0)耦合的接触通道孔(13ac或5a)；一连续且导电的y地址线(12a)，一第一存储器件(1aa)形成在该y地址线(12a)与该第一x地址线(11a)的交叉处；一连续且导电的第一控制线(17a)，一第一开关器件(3aa)形成在该第一控制线(17a)与该第一x地址线(11a)的交叉处，并介于该第一存储器件(1aa)和该接触通道孔(13ac或5a)之间；该第一开关器件(3aa)在第一模式下阻挡该第一x地址线(11a)中的电流流动，在第二模式下允许该第一x地址线(11a)中的电流流动。
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