[发明专利]制造半导体基底的方法和制造发光装置的方法有效
| 申请号： | 201510088677.X | 申请日： | 2010-07-22 |
| 公开（公告）号： | CN104795313B | 公开（公告）日： | 2017-12-08 |
| 发明（设计）人： | 金彰渊;酒井士郎;金华睦;李俊熙;文秀荣;金京完 | 申请（专利权）人： | 首尔伟傲世有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司11286 | 代理人： | 尹淑梅,韩明星 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种制造半导体基底的方法和一种制造发光装置的方法。制造半导体基底的方法包括在基底上形成第一半导体层；在第一半导体层上以预定图案形成金属材料层；在第一半导体层和金属材料层上形成第二半导体层，同时在第一半导体层的位于金属材料层下方的部分中形成孔隙；在形成第二半导体层的同时或者在形成第二半导体层之后，使金属材料与氮的反应副产物蒸发以去除反应副产物。这些方法不使用激光束来分离生长基底，从而降低了半导体基底的制造成本。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 半导体 基底 方法 发光 装置 | ||
【主权项】：
一种制造半导体基底的方法，所述方法包括：在基底上形成第一半导体层；在第一半导体层上以预定图案形成金属材料层；在第一半导体层和金属材料层上形成第二半导体层，同时在第一半导体层的位于金属材料层下方的部分中形成孔隙；在形成第二半导体层的同时或者在形成第二半导体层之后，使金属材料层与第一半导体层中的氮的反应副产物蒸发以去除反应副产物。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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