[发明专利]有机半导体膜及其制造方法、薄膜晶体管、有源矩阵装置、电光学装置及电子设备有效
| 申请号： | 201510088686.9 | 申请日： | 2015-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN104882539B | 公开（公告）日： | 2019-11-29 |
| 发明（设计）人： | 守谷壮一 | 申请（专利权）人： | 伊英克公司 |
| 主分类号： | H01L51/00 | 分类号： | H01L51/00;H01L51/05;H01L51/30;H01L51/40 |
| 代理公司： | 11280 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 | 代理人： | 郭广迅<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
| 地址： | 美国马*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明的有机半导体膜的制造方法的特征在于，具有以下工序：液状组合物施与工序，在基材上以规定的图案施与液状组合物，所述液状组合物是使有机半导体材料溶解或分散在第1溶剂中而成的；第2溶剂施与工序，在所述基材的被施与了所述液状组合物的区域施与第2溶剂，所述第2溶剂对所述有机半导体材料的溶解性比所述第1溶剂低；第2溶剂除去工序，将所述第2溶剂除去。 | ||
| 搜索关键词： | 有机半导体 及其 制造 方法 薄膜晶体管 有源 矩阵 装置 光学 电子设备 | ||
【主权项】：
1.一种有机半导体膜的制造方法，其特征在于，具有以下工序：/n液状组合物施与工序，在基材上以规定的图案施与液状组合物，所述液状组合物是使有机半导体材料溶解或分散在第1溶剂中而成的，/n第2溶剂施与工序，在所述基材的被施与了所述液状组合物的区域施与第2溶剂，所述第2溶剂对所述有机半导体材料的溶解性比所述第1溶剂低，以及/n第2溶剂除去工序，将所述第2溶剂除去；/n其中，所述第2溶剂施与工序通过以下方式进行：在被施与了所述液状组合物的所述基材上施与所述第2溶剂的液滴。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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