[发明专利]半导体器件及其制造方法和控制方法在审

专利信息
申请号: 201510088918.0 申请日: 2015-02-26
公开(公告)号: CN104882459A 公开(公告)日: 2015-09-02
发明(设计)人: 板垣圭一;国清辰也 申请(专利权)人: 瑞萨电子株式会社
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146;H01L21/66
代理公司: 北京市金杜律师事务所 11256 代理人: 王茂华;董典红
地址: 日本神*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 提供一种半导体器件及其制造方法和控制方法,该半导体器件能够在不使用彩色滤光片的情况下高精确度地检测每个颜色的光,特别是增强通过长波长光的光电转换获得的电荷的检测精确度。该半导体器件具有p型半导体衬底以及第一像素区域、第二像素区域和第三像素区域。这些区域均包括在p型半导体衬底中的p型阱区域和与其构成pn结的n型区域。第一像素区域的p型阱区域从主表面到最下部分比第二像素区域和第三像素区域的p型阱区域从主表面到最下部分更薄。在与第一像素区域和第二像素区域的p型阱区域的主表面相对的侧上,与p型阱区域邻接的掩埋p型阱区域被进一步放置。
搜索关键词: 半导体器件 及其 制造 方法 控制
【主权项】:
一种半导体器件,包括:p型半导体衬底,具有主表面;以及第一像素区域、第二像素区域和第三像素区域,在平面视图中在所述p型半导体衬底中彼此排列;其中所述第一像素区域、所述第二像素区域和所述第三像素区域均包括:p型阱区域,在所述p型半导体衬底中形成;以及n型区域,在所述p型阱区域中形成并且与所述p型阱区域构成pn结,其中所述第一像素区域的所述p型阱区域的从所述主表面到距所述主表面最远的最下部分的深度比所述第二像素区域和所述第三像素区域的所述p型阱区域的从所述主表面到距所述主表面最远的最下部分的深度更小,并且其中在与所述第一像素区域和所述第二像素区域的所述p型阱区域的所述主表面相对的侧上,掩埋p型阱区域被进一步放置以便与所述p型阱区域邻接。
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