[发明专利]半导体器件及其制造方法和控制方法在审
申请号: | 201510088918.0 | 申请日: | 2015-02-26 |
公开(公告)号: | CN104882459A | 公开(公告)日: | 2015-09-02 |
发明(设计)人: | 板垣圭一;国清辰也 | 申请(专利权)人: | 瑞萨电子株式会社 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L21/66 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 王茂华;董典红 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 提供一种半导体器件及其制造方法和控制方法,该半导体器件能够在不使用彩色滤光片的情况下高精确度地检测每个颜色的光,特别是增强通过长波长光的光电转换获得的电荷的检测精确度。该半导体器件具有p型半导体衬底以及第一像素区域、第二像素区域和第三像素区域。这些区域均包括在p型半导体衬底中的p型阱区域和与其构成pn结的n型区域。第一像素区域的p型阱区域从主表面到最下部分比第二像素区域和第三像素区域的p型阱区域从主表面到最下部分更薄。在与第一像素区域和第二像素区域的p型阱区域的主表面相对的侧上,与p型阱区域邻接的掩埋p型阱区域被进一步放置。 | ||
搜索关键词: | 半导体器件 及其 制造 方法 控制 | ||
【主权项】:
一种半导体器件,包括:p型半导体衬底,具有主表面;以及第一像素区域、第二像素区域和第三像素区域,在平面视图中在所述p型半导体衬底中彼此排列;其中所述第一像素区域、所述第二像素区域和所述第三像素区域均包括:p型阱区域,在所述p型半导体衬底中形成;以及n型区域,在所述p型阱区域中形成并且与所述p型阱区域构成pn结,其中所述第一像素区域的所述p型阱区域的从所述主表面到距所述主表面最远的最下部分的深度比所述第二像素区域和所述第三像素区域的所述p型阱区域的从所述主表面到距所述主表面最远的最下部分的深度更小,并且其中在与所述第一像素区域和所述第二像素区域的所述p型阱区域的所述主表面相对的侧上,掩埋p型阱区域被进一步放置以便与所述p型阱区域邻接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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