[发明专利]半导体制作工艺设备以及预防破片的方法有效
申请号: | 201510089085.X | 申请日: | 2015-02-27 |
公开(公告)号: | CN105990184B | 公开(公告)日: | 2018-09-11 |
发明(设计)人: | 周俊吉;陈志铭;谢其忠 | 申请(专利权)人: | 力晶科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/683 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 陈小雯 |
地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明公开一种半导体制作工艺设备以及预防破片的方法,该设备适于处理基板。半导体制作工艺设备包括腔体、静电吸盘、气体交换管路、进气排气单元、压力调节管路以及压力调节阀门。静电吸盘配置于腔体内且适于吸附基板。静电吸盘包括图案化沟槽。图案化沟槽与基板之间形成图案化气体通道。气体交换管路连接图案化气体通道。进气排气单元连接气体交换管路。压力调节管路连接于气体交换管路与腔体之间。压力调节阀门配置于压力调节管路中。另提供一种预防破片的方法。 | ||
搜索关键词: | 半导体 制作 工艺设备 以及 预防 破片 方法 | ||
【主权项】:
1.一种半导体制作工艺设备,适于处理一基板,该半导体制作工艺设备包括:腔体;静电吸盘,配置于该腔体内且适于吸附该基板,该静电吸盘包括一图案化沟槽,该图案化沟槽与该基板之间形成一图案化气体通道;气体交换管路,连接该图案化气体通道;进气排气单元,连接该气体交换管路;压力调节管路,连接于该气体交换管路与该腔体之间;以及压力调节阀门,配置于该压力调节管路中,其中该进气排气单元包括钝气供应源、导入阀以及排气阀单元,该导入阀连接该钝气供应源,该气体交换管路连接于该导入阀与该图案化气体通道之间以及该图案化气体通道与该排气阀单元之间,该排气阀单元包括第一排气阀、第二排气阀以及限流单元,该第一排气阀位于一第一管路中,该第二排气阀以及该限流单元位于一第二管路中,该半导体制作工艺设备还包括第一泵,该第一管路与该第二管路分别连接于该气体交换管路与该第一泵之间,其中该压力调节阀门由一第一线路控制,该第一排气阀由一第二线路控制,该第一线路与该第二线路彼此并联,该半导体制作工艺设备还包括:延迟开关,与该第一线路串联,且驱动该压力调节阀门的控制信号先通过该延迟开关再通过该第一线路。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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