[发明专利]半导体多层结构及半导体元件在审
| 申请号： | 201510089789.7 | 申请日： | 2015-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN104882519A | 公开（公告）日： | 2015-09-02 |
| 发明（设计）人： | 佐藤慎九郎 | 申请（专利权）人： | 株式会社田村制作所;株式会社光波 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L33/32;H01L33/12 |
| 代理公司： | 北京市隆安律师事务所 11323 | 代理人： | 徐谦 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种半导体多层结构包括：β-Ga2O3基单晶基板，其主面的位错密度不超过1×103/cm2；以及氮化物半导体层，其包括外延生长在所述β-Ga2O3基单晶基板上的AlxGayInzN(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤z≤1，x+y+z＝1)晶体。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 多层 结构 元件 | ||
【主权项】：
一种半导体多层结构，包括：β‑Ga2O3基单晶基板，其主面的位错密度不超过1×103/cm2；以及氮化物半导体层，其包括外延生长在所述β‑Ga2O3基单晶基板上的AlxGayInzN(0≤x≤1,0≤y≤1,0≤z≤1,x+y+z＝1)晶体。
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