[发明专利]一种半导体器件及其制作方法和电子装置有效
| 申请号： | 201510089794.8 | 申请日： | 2015-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN105990147B | 公开（公告）日： | 2019-01-22 |
| 发明（设计）人： | 禹国宾;林静 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件及其制作方法和电子装置，所述方法包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有若干悬置的第一纳米线，以及位于所述第一纳米线两端的侧墙，在所述侧墙外侧的半导体衬底上形成有源极区域、漏极区域；形成环绕第一纳米线整个外表面的外延层；在所述半导体衬底上形成沿所述第一纳米线的径向方向环绕所述外延层的一部分的栅极结构；对所述源极区域、漏极区域进行掺杂，以分别形成源极、漏极；去除所述侧墙；刻蚀去除所述第一纳米线，保留所述外延层，以形成第二纳米线。根据本发明的制作方法形成的全环栅纳米线场效应晶体管，具有空心的纳米线结构，可减小漏电流、提高电子迁移率，进而提高器件的整体性能和可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制作方法 电子 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的制作方法，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有若干悬置的第一纳米线，以及位于所述第一纳米线两端的侧墙，在所述侧墙外侧的半导体衬底上形成有源极区域、漏极区域；形成环绕所述第一纳米线整个外表面的外延层；在所述半导体衬底上形成沿所述第一纳米线的径向方向环绕所述外延层的一部分的栅极结构；对所述源极区域、漏极区域进行掺杂，以分别形成源极、漏极；去除所述侧墙；刻蚀去除所述第一纳米线，保留所述外延层，以形成第二纳米线。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
