[发明专利]晶圆减薄方法

摘要

本发明提供一种晶圆减薄方法，包括：提供待减薄的第一晶圆，所述第一晶圆包括用于形成半导体器件的正面以及相对于所述正面的背面；在所述第一晶圆的正面形成第一无机材料层；提供用于支撑所述第一晶圆的第二晶圆，所述第二晶圆包括一用于与第一晶圆正面相配合的工作面；在所述第二晶圆的工作面上形成第二无机材料层；使所述第一无机材料层与所述第二无机材料层键合，以将所述第一晶圆与第二晶圆键合；去除第一晶圆背面的部分材料，以对第一晶圆进行厚度减薄处理；将减薄后的第一晶圆与第二晶圆解键合。本发明的有益效果在于：对环境温度的承受范围更宽，这有利于降低后续其他工艺难度和复杂性，这样有利于保证整个工艺的效率。

主权项

1.一种晶圆减薄方法，其特征在于，包括：提供待减薄的第一晶圆，所述第一晶圆包括用于形成半导体器件的正面以及相对于所述正面的背面；所述第一晶圆的正面用于形成绝缘栅双极型晶体管；在所述第一晶圆的正面形成第一无机材料层；提供用于支撑所述第一晶圆的第二晶圆，所述第二晶圆包括一用于与第一晶圆正面相配合的工作面；形成覆盖所述第二晶圆工作面边缘的圆环形的第二无机材料层；在所述第二晶圆工作面未形成第二无机材料层的部分形成填充层，并使所述填充层的表面与所述第二无机材料层相齐平；使所述第一无机材料层与所述第二无机材料层键合，以将所述第一晶圆与第二晶圆键合；去除第一晶圆背面的部分材料，以对第一晶圆进行厚度减薄处理；对第一晶圆的背面进行离子注入以形成所述绝缘栅双极型晶体管的掺杂区；在离子注入后的背面上形成所述绝缘栅双极型晶体管的集电极金属层，以在第一晶圆中形成绝缘栅双极型晶体管；其中，形成集电极金属层的步骤包括：在第一晶圆离子注入后的背面形成底层金属层；对所述第一晶圆进行热处理；对所述底层金属层的表面进行清洗；在所述底层金属层上形成金属材料层；对所述金属材料层进行热处理以形成所述集电极金属层；将第二晶圆与减薄后的第一晶圆解键合。