[发明专利]晶圆键合方法有效
| 申请号： | 201510090153.4 | 申请日： | 2015-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN105990166B | 公开（公告）日： | 2018-12-21 |
| 发明（设计）人： | 汪新学;王明军;方伟;周耀辉;伏广才 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯集成电路（宁波）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L21/98 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 高静;骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种晶圆键合方法，包括：提供待键合的第一晶圆，所述第一晶圆包括衬底，所述衬底包括键合面以及相对于所述键合面的背面；在所述衬底中形成从衬底键合面露出的导电键合结构；在所述导电键合结构表面形成牺牲层；以所述牺牲层为掩模，去除部分衬底，使导电键合结构的表面凸出于所述衬底的表面；去除所述牺牲层；将所述第一晶圆与另一晶圆键合。本发明的有益效果在于对导电键合结构的表面进行保护，减小导电键合结构材料在去除衬底的过程中受到的影响，尽量地保证了导电键合结构中的材料不至于发生迁移，这样有利于减小发生短路现象的几率，进而提升晶圆之间的键合质量。 | ||
| 搜索关键词： | 晶圆键合 方法 | ||
【主权项】：
1.一种晶圆键合方法，包括：提供待键合的第一晶圆，所述第一晶圆包括衬底，所述衬底包括键合面以及相对于所述键合面的背面；在所述衬底中形成从衬底键合面露出的导电键合结构；其特征在于，还包括：在所述导电键合结构表面形成牺牲层，包括去除部分导电键合结构，以使所述导电键合结构的表面低于所述衬底表面，所述导电键合结构表面与衬底共同形成凹槽；在所述衬底以及导电键合结构表面以及所述凹槽中形成牺牲层材料，并使所述牺牲层材料的表面不低于衬底表面；去除部分牺牲层材料，仅保留位于凹槽中的部分牺牲层材料以形成所述牺牲层；以所述牺牲层为掩模，去除部分衬底，使导电键合结构的表面凸出于所述衬底的表面；去除所述牺牲层；将所述第一晶圆与另一晶圆键合。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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