[发明专利]存储器结构及其制造方法

摘要

本发明公开了一种存储器结构及其制造方法，存储器结构包括垂直栅极非易失性NAND阵列，其包括多个垂直叠层的NAND串的非易失性存储器单元、正交地配置在多个垂直叠层的NAND串上面的多条字线，以及电性耦接至多条字线的多个垂直行的导电栅极材料。多个垂直叠层的NAND串具有垂直叠层的半导体条，其具有包括一第一侧及一第二侧的相反侧。多个垂直行中的垂直行为垂直叠层的半导体条的相反侧的第一侧及第二侧的其中一侧的栅极。多个垂直行中的垂直行为多个垂直叠层的NAND串中的相邻叠层的栅极。

主权项

1.一种存储器结构的制造方法，包括：于一基板上方形成与多个绝缘层交替的一半导体材料的多层；刻蚀这些半导体材料的多层，以定义多个第一沟槽以及多个第二沟槽，这些第一沟槽及这些第二沟槽定义该半导体材料的条的多个叠层，这些第一沟槽与这些第二沟槽是交错分布，这些第一沟槽比这些第二沟槽宽；以及在这些第一沟槽中而非在这些第二沟槽中，形成一非易失性存储器材料，该非易失性存储器材料将数据储存作为非易失性存储器阵列中的多个非易失性存储器单元的一部分；其中该非易失性存储器材料是保形地形成在这些第一沟槽的沟槽表面上面及这些半导体材料的多层上面，以及在形成这些第二沟槽后残留至少一个非易失性存储器材料的部分于这些半导体材料的多层上面。