[发明专利]一种CMOS集成电路有效
| 申请号： | 201510090701.3 | 申请日： | 2015-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN105990344B | 公开（公告）日： | 2018-10-30 |
| 发明（设计）人： | 潘光燃;文燕;王焜;高振杰;石金成;马万里 | 申请（专利权）人： | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/092 | 分类号： | H01L27/092;H01L29/49 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 马爽;黄健 |
| 地址： | 100871 北京市海*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种CMOS集成电路，该电路包括：非对称型高压NMOS、对称型高压NMOS、非对称型高压PMOS、对称型高压PMOS，其中，所述非对称型高压NMOS的栅极为N型多晶硅；所述对称型高压NMOS的栅极为P型多晶硅；所述非对称型高压PMOS的栅极为P型多晶硅；所述对称型高压PMOS的栅极为N型多晶硅。本发明提供的CMOS集成电路通过分别设置不同类别的高压MOS结构的栅极材质，解决了CMOS集成电路中存在的各类别高压MOS的阈值电压不平衡问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 cmos 集成电路 | ||
【主权项】：
1.一种CMOS集成电路，其特征在于，包括：非对称型高压NMOS、对称型高压NMOS、非对称型高压PMOS、对称型高压PMOS，其中，所述非对称型高压NMOS的栅极为N型多晶硅；所述非对称型高压PMOS的栅极为P型多晶硅；所述对称型高压PMOS的栅极为N型多晶硅。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
