[发明专利]包括开关特性控制工艺的功率半导体装置的制造方法在审
| 申请号： | 201510090747.5 | 申请日： | 2015-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN105990148A | 公开（公告）日： | 2016-10-05 |
| 发明（设计）人： | 朴镕浦;郑垠植;金禹泽;朴兑洙;杨昌宪 | 申请（专利权）人： | 美普森半导体公司（股） |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/28;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供一种包括开关特性控制工艺的功率半导体装置的制造方法，根据本发明的一方面，所述方法包括N-EPI层形成步骤、JFET层形成步骤、下部栅极绝缘膜形成步骤、栅极电极用多晶硅栅极形成步骤、体区域形成步骤、源极区域形成步骤、上部绝缘层形成步骤及金属总线形成步骤，其中：所述栅极电极用多晶硅栅极形成步骤将由所述多晶硅形成的多晶硅栅极电阻值设定为具有特定的开启/关闭开关速度特性并进行制造。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 开关 特性 控制 工艺 功率 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种包括开关特性控制工艺的功率半导体装置的制造方法，所述方法包括N‑EPI层形成步骤、JFET层形成步骤、下部栅极绝缘膜形成步骤、栅极电极用多晶硅栅极形成步骤、体区域形成步骤、源极区域形成步骤、上部绝缘层形成步骤及金属总线形成步骤，其特征在于：在所述栅极电极用多晶硅栅极形成步骤，将由所述多晶硅形成的多晶硅栅极电阻值设定为具有特定的开启/关闭开关速度特性。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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