[发明专利]一种智能变电站SCD文件图形化比对方法有效
申请号: | 201510091201.1 | 申请日: | 2015-02-28 |
公开(公告)号: | CN104636490B | 公开(公告)日: | 2018-05-29 |
发明(设计)人: | 侯伟宏;裘愉涛;吴振杰;王坚俊;甄家林;杨经超 | 申请(专利权)人: | 国网浙江省电力公司杭州供电公司;国网浙江省电力公司;武汉凯默电气有限公司 |
主分类号: | G06F17/30 | 分类号: | G06F17/30;G06Q50/06 |
代理公司: | 武汉宇晨专利事务所 42001 | 代理人: | 李鹏 |
地址: | 310009 *** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明涉及一种智能变电站SCD文件图形化比对方法,该方法采用图形化的模型比对方式,采用图符表示比对经果。具体地该方法导入两个待比对的SCD文件,经解析生成一个新的图形化比对SCD文件,图形化比对SCD文件分IED设备层、关联图层、虚端子图层及虚端子表层,按照IEC61850数据模型、通信服务模型对新旧两个SCD文件进行比对,比对结果以图符方式标注在比对SCD文件的各层中。这种SCD文件图形化的比对方式,与目前常用的SCD文件文本比对方法相比,具有操作简单、比对结果明了、比对效率高及可视化程度强等特点,可让使用者摆脱对XML语法规则及IEC61850模型知识的依赖。 | ||
搜索关键词: | 比对 图形化 智能变电站 比对结果 图符 比对方式 方式标注 模型比对 数据模型 通信服务 关联图 可视化 图层 解析 文本 | ||
【主权项】:
1.一种智能变电站SCD文件图形化比对方法,其特征在于,包括以下步骤:按IEC61850模型进行比对新旧两个SCD文件,所述的新旧两个SCD文件经解析比对生成一个新的比对SCD文件,比对SCD文件分为IED设备层、关联图层、虚端子图层及虚端子表层;所述的IED设备层为SCD文件中所有IED设备的列表,关联图层显示选中IED及与选中IED在虚回路上相关联IED间的关系,虚端子图层显示SV、GOOSE的虚拟二次回路图,虚端子表层以表格方式显示SV、GOOSE虚拟二次回路;所述的解析比对包括IED设备层模型比对、关联图层模型比对、虚端子图层模型比对和虚端子表层模型比对,通过图符在比对SCD文件中的IED设备层、关联图层、虚端子图层及虚端子表层进行新旧两个SCD文件的区别标识;所述的IED设备层模型比对包括以下步骤:遍历新、旧SCD文件所有IED节点,对IED节点下name、configVersion、desc、manufacturer、type、CRC属性进行比对,比对结果标注在IED设备层中,使用IED增加图符表示新增的物理设备,即在新SCD文件IED节点下有新增的name属性;使用IED删除图符表示被删除的物理设备,即旧SCD文件有新SCD文件没有的name属性;使用IED参数修改图符表示该新旧SCD文件都有同一物理设备但是参数有变化,即IED的name相同但是属性configVersion或desc或manufacturer或type或CRC有不一致之处;所述的关联图层模型比对包括以下步骤:在比对SCD文件选中预定的IED,依据选中IED搜索新、旧SCD文件中IED/AccessPoint/Serer/Ldevice/LNx//Inputs/ExtRef节点中的iedName属性,并进行归类处理,即具有相同iedName的外部引用为同一IED的引用,按ldInst/prefix/lnClass/lnInst/doName/daName构成外部引用地址,对外部引用地址进行比对,比对结果标注在比对SCD文件的关联图层中;使用关联图增加图符表示接收IED的IED/AccessPoint/Sever/Ldevice/LNx/Inputs/ExtRef节点下关于iedName的所有外部引用地址为增加的;使用关联图删除图符表示接收IED的IED/AccessPoint/Sever/Ldevice/LNx/Inputs/ExtRef节点下的所有外部引用地址为删除的;使用关联图修改图符表示接收IED的IED/AccessPoint/Sever/Ldevice/LNx/Inputs/ExtRef节点下的部分外部引用有修改,修改包括ldInst、prefix、lnClass、lnInst、doName、daName中某一属性的修改、修改还包括引用顺序的修改或AccessPoint/Sever/Ldevice/LNx下DOI描述的修改;所述的虚端子图层模型比对包括以下步骤:在SCD比对文件中对两个IED设备间的每个虚端子及虚连线进行比对,搜索并比对接收IED的IED/AccessPoint/Sever/LDevice/LNx/Inputs/ExtRef下每一intAddr;旧SCD文件没有且新SCD文件有的intAddr地址为新增的输入虚端子;旧SCD文件有且新SCD文件没有的intAddr地址为删除的输入虚端子;对于新旧SCD文件都有的intAddr,再比对对应的ExtRef下的外部引用地址ldInst/prefix/lnClass/lnInst/doName/daName,及IED/AccessPoint/Sever/LDevice/LNx/DOI中的虚端子描述;使用虚端子增加图符表示接收IED的虚端子及连线是新增加;使用虚端子删除图符表示接收IED的虚端子及连线被删除;使用虚端子修改图符表示对应的虚端子的顺序、连线或描述有改变,所述的虚端子表层模型比对包括以下步骤:虚端子表层含SV发送、GOOSE发送及数据输入三个标签页,标签页比对的差异性以图符方式标注在虚端子表层的各标签页中;所述的按IEC61850模型进行比对包括IEC61850数据模型比对及通信服务模型比对,IEC61850数据模型比对遍历SCD文件中所有IED,对每一IED都按IED/逻辑设备/逻辑节点/数据对象/数据属性的模型层次进行新旧两个SCD文件的比对;通信服务模型比对遍历新旧两个SCD文件所有进行信息交互的逻辑节点,包括SV、GOOSE及MMS通信服务模型进行比对。
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