[发明专利]医用植入体材料及其制备方法有效
申请号: | 201510091292.9 | 申请日: | 2015-02-28 |
公开(公告)号: | CN104762645B | 公开(公告)日: | 2017-07-18 |
发明(设计)人: | 熊信柏;王海瑞;曾燮榕;邹继兆;钱海霞 | 申请(专利权)人: | 深圳大学 |
主分类号: | C25D9/04 | 分类号: | C25D9/04;A61L27/32;A61L27/50 |
代理公司: | 深圳中一专利商标事务所44237 | 代理人: | 张全文 |
地址: | 518000 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明公开了一种医用金属植入体材料表面处理方法,属于生物医用材料工程中的植入体加工制备领域。该方法以医用金属基体材料为阴极,先借助阴极等离子电解沉积技术在医用金属植入体表面制备富含钙磷的氧化物陶瓷膜;然后通过水热处理将膜层中的钙磷成分转变成为羟基磷灰石,形成羟基磷灰石/氧化物复合陶瓷膜层。本方法简单,所用设备与传统的等离子体电解氧化设备一致,制备的膜层与基体结合牢固,可以有效提高基体材料的生物活性,抑制基体材料中的有害离子析出,提高生物相容性和安全性,与此同时,扩宽了医用金属基体材料选择范围。 | ||
搜索关键词: | 医用 植入 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种在医用金属植入体材料表面形成复合陶瓷膜层的方法,包括如下步骤:以医用金属基体材料为阴极,不锈钢电解槽为阳极,在含钙磷和氧化物前驱体的电解液中,采用双向脉冲电源对所述医用金属基体材料进行阴极等离子体电解沉积处理,在其表面形成富含钙磷成分的氧化物陶瓷膜,所述阴极等离子体电解沉积处理工艺条件为:电源输出模式采用电压为280V‑600V的恒压模式或电流密度为0.01A/cm2‑5A/cm2的恒流模式,时间为10min‑120min;将表面形成有所述富含钙磷成分的氧化物陶瓷膜的所述医用金属植入体材料置于水热液体中进行水热处理,使得富含钙磷成分的氧化物陶瓷膜形成羟基磷灰石/氧化物复合陶瓷膜层。
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