[发明专利]刻蚀气体及其应用在审
| 申请号： | 201510091538.2 | 申请日： | 2015-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN104630774A | 公开（公告）日： | 2015-05-20 |
| 发明（设计）人： | 陈桥波 | 申请（专利权）人： | 苏州工业园区纳米产业技术研究院有限公司 |
| 主分类号： | C23F1/12 | 分类号： | C23F1/12 |
| 代理公司： | 苏州市中南伟业知识产权代理事务所(普通合伙) 32257 | 代理人： | 李阳 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州市工业*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体制造加工领域，尤其涉及一种刻蚀气体及其应用，本发明提出的一种刻蚀气体，含有CF4和O2两种气体，以及Cl2、SF6、HBr、CHF3中的一种或多种气体，将上述刻蚀气体用于多晶硅-氮化硅-多晶硅复合膜的刻蚀后，复合膜的侧壁倾角达到90°，而且提高了多晶硅对光刻胶的选择比。 | ||
| 搜索关键词： | 刻蚀 气体 及其 应用 | ||
【主权项】：
一种刻蚀气体，其特征在于：含有CF4和O2两种气体，以及Cl2、SF6、HBr、CHF3中的一种或多种气体。
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