[发明专利]用于对3-D IC晶体管的鳍形沟道区进行掺杂的覆盖ALD膜

摘要

本发明公开了用于对3-D IC晶体管的鳍形沟道区进行掺杂的覆盖ALD膜，具体涉及一种对在半导体衬底上的部分制成的3-D晶体管的鳍形沟道区进行掺杂的方法。该方法可包括在衬底上形成多层的含掺杂剂膜；形成覆盖膜，该覆盖膜包括硅碳化物材料、硅氮化物材料、硅碳氮化物材料、或它们的组合，定位该覆盖膜使得含掺杂剂膜位于衬底和覆盖膜之间；以及将掺杂剂从含掺杂剂膜驱动到鳍形沟道区内。所述膜的多个含掺杂剂层通过原子层沉积工艺形成，所述原子层沉积工艺包括：吸附含掺杂剂膜前体，使得所述前体在衬底上形成吸附受限层；以及使所吸附的含掺杂剂膜前体反应。还公开了一种用于对部分制成的3-D晶体管的鳍形沟道区进行掺杂的多站式衬底处理装置。

主权项

一种对在半导体衬底上的部分制成的3‑D晶体管的鳍形沟道区进行掺杂的方法，该方法包括：(a)在所述衬底上形成含掺杂剂膜，其中所述膜的多个含掺杂剂层通过原子层沉积工艺形成，所述原子层沉积工艺包括：(i)使含掺杂剂膜前体吸附到所述衬底上，使得所述前体在所述衬底上形成吸附受限层；(ii)从所吸附的所述前体周围的容积去除至少一些未被吸附的含掺杂剂膜前体；(iii)在(ii)中的去除未被吸附的前体后，使所吸附的含掺杂剂膜前体反应以在所述衬底上形成含掺杂剂层；(iv)在使所吸附的所述前体反应后，当所述含掺杂剂层周围的所述容积存在解吸的含掺杂剂膜前体和/或反应副产物时，将所述解吸的含掺杂剂膜前体和/或反应副产物从所述含掺杂剂层周围的所述容积去除；以及(v)重复(i)至(iv)，以形成所述含掺杂剂膜的多个含掺杂剂层；(b)形成覆盖膜，该覆盖膜包括硅碳化物材料、硅氮化物材料、硅碳氮化物材料、或它们的组合，所述覆盖膜定位成使得形成于(a)中的所述含掺杂剂膜位于所述衬底和所述覆盖膜之间；以及(c)将掺杂剂从所述含掺杂剂膜驱动到所述鳍形沟道区内。