[发明专利]一种硅电容麦克风的电气连线结构及其电气连线方法有效
| 申请号： | 201510092043.1 | 申请日： | 2015-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN105992115B | 公开（公告）日： | 2021-09-21 |
| 发明（设计）人： | 万蔡辛;杨少军 | 申请（专利权）人： | 山东共达电声股份有限公司 |
| 主分类号： | H04R19/04 | 分类号： | H04R19/04 |
| 代理公司： | 北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司 11139 | 代理人： | 孙皓晨;朱世定 |
| 地址： | 261206 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种硅电容麦克风的电气连线结构及其电气连接方法，所述电气连接结构包括衬底、非导电层和导电层，所述衬底、非导电层和导电层彼此之间形成有多个台阶结构，所述多个台阶结构上附着有多个金属电极，用以在相互绝缘的导电层之间的形成电气连接。所述电气连接方法包括：S1：在衬底上生成一组或多组交错排列的牺牲层和导电层，在牺牲层、导电层或衬底之间形成多个台阶结构；S2：生长一层金属层，保留所述金属层中附着于所述多个台阶结构上的多个金属电极，去除所述金属层的其他部分。本发明可按硅麦克风设置需要实现不同导电层之间的电气连接、走线交叉、电气屏蔽功能，从而使其灵敏度、线性度、信噪比等指标得以提高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电容 麦克风 电气 连线 结构 及其 方法 | ||
【主权项】：
一种硅电容麦克风的电气连线结构，包括衬底、非导电层和导电层，所述衬底、非导电层和导电层彼此之间通过lift‑off工艺形成有多个台阶结构，其特征在于，所述多个台阶结构上附着有多个金属电极，用以在相互绝缘的导电层之间的形成电气连接。
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