[发明专利]加工方法在审
| 申请号： | 201510092472.9 | 申请日： | 2015-03-02 |
| 公开（公告）号： | CN104900506A | 公开（公告）日： | 2015-09-09 |
| 发明（设计）人： | 中村胜 | 申请（专利权）人： | 株式会社迪思科 |
| 主分类号： | H01L21/301 | 分类号： | H01L21/301 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 李辉;黄纶伟 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供加工方法，该加工方法是对应于一个个器件来分割在晶片的背面粘贴的DAF的方法，晶片被形成为格子状的分割预定线划分而在正面形成有多个器件，特征在于，包括如下工序：晶片准备工序，准备在晶片的沿着分割预定线的内部形成有改性层的晶片、或者沿着分割预定线分割为一个个器件的晶片；晶片配设工序，将在晶片准备工序中准备好的晶片定位到具有收纳晶片的开口部的环状框架中，隔着DAF将晶片的背面配设到扩展带上；和DAF分割工序，在实施了晶片配设工序后，使扩展带扩张，使拉伸力经由DAF作用于晶片，使相邻的器件之间的间隔扩大，同时对应于器件来分割DAF，在DAF分割工序中，将DAF加热至规定的温度来使DAF软化。 | ||
| 搜索关键词： | 加工 方法 | ||
【主权项】：
一种加工方法，该加工方法是对应于一个个器件来分割在晶片的背面粘贴的DAF的加工方法，该晶片被形成为格子状的分割预定线划分而在正面形成有多个器件，其特征在于，所述加工方法包括如下工序：晶片准备工序，在该晶片准备工序中，准备在晶片的沿着分割预定线的内部形成有改性层的晶片、或者沿着分割预定线分割为一个个器件的晶片；晶片配设工序，在该晶片配设工序中，将在晶片准备工序中准备好的晶片定位到具有收纳晶片的开口部的环状框架中，隔着DAF将晶片的背面配设到扩展带上；以及DAF分割工序，在实施了晶片配设工序后，使扩展带扩张，使拉伸力经由DAF作用于晶片，使相邻的器件之间的间隔扩大，并且对应于器件来分割DAF，在DAF分割工序中，将DAF加热至规定的温度来使DAF软化。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
