[发明专利]存储单元阵列及其单元结构

摘要

本发明公开了一种只读存储器(ROM)单元阵列及其单元结构。该ROM单元阵列与多个行位线和多个列字线相连接且包括：沿着列方向布置的多个子单元阵列，每个子单元阵列包括多个单位单元结构。每个单位单元结构包括：限定出单元边界的单元基底区域，该区域包括被布置在衬底上的具有宽形块状轮廓且限定出连续共用源极节点的覆盖式OD层；设置在OD层之上，被布置成选择性地连接位线的漏极焊垫；桥接在漏极焊垫和OD层之间的垂直沟道结构；以及垂直地设置在漏极焊垫和OD层之间且布置成与字线相连接的栅极结构。子单元阵列边界完全被限定在OD层的覆盖范围内。

主权项

1.一种半导体只读存储器(ROM)单位单元结构，包括：单元基底区域，限定出单元边界，所述单元基底区域包括布置在衬底上的具有宽形块状轮廓的覆盖式有源区域(OD)层，并且所述覆盖式有源区域层限定出被布置为与接地端(Vss)选择性连接的连续共用源极节点；漏极焊垫，设置在所述有源区域层之上，所述漏极焊垫与位线选择性地连接；垂直沟道结构，桥接所述漏极焊垫和所述有源区域层；以及栅极结构，垂直地设置在所述漏极焊垫和所述有源区域层之间并且与字线相连接；其中，所述单元边界被限定在所述有源区域层的覆盖范围内，其中，所述位线被布置在第一层导电层中，而所述字线被布置在第二层导电层中并且布置在所述第一层导电层之上。