[发明专利]聚焦环、下电极机构及半导体加工设备在审

专利信息
申请号: 201510093056.0 申请日: 2015-03-02
公开(公告)号: CN105990084A 公开(公告)日: 2016-10-05
发明(设计)人: 张虎威 申请(专利权)人: 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
主分类号: H01J37/32 分类号: H01J37/32;H01J37/21;H01L21/67
代理公司: 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 代理人: 彭瑞欣;张天舒
地址: 100176 北京市大*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明提供了一种聚焦环、下电极机构及半导体加工设备。该聚焦环安装在卡盘外圈的上表面上设置的第一环形凹部内,卡盘用于承载基片,聚焦环或第一环形凹部的内径小于基片的直径,聚焦环内圈的上表面上设置有第二环形凹部,第二环形凹部的外径大于基片的直径,聚焦环的厚度大于第一环形凹部的深度,第二环形凹部的深度不小于聚焦环的厚度与第一环形凹部的深度的差值,在聚焦环内圈的下表面上还设置有所述第二环形凹部,以使聚焦环还可反向安装在第一环形凹部内。本发明提供的聚焦环,不仅可以实现成倍地提高聚焦环的使用寿命和利用率,从而可以提高经济效益;而且还可以简化下电极机构及半导体加工设备的维护过程。
搜索关键词: 聚焦 电极 机构 半导体 加工 设备
【主权项】:
一种聚焦环,安装在卡盘外圈的上表面上设置的第一环形凹部内,所述卡盘用于承载基片,所述聚焦环或所述第一环形凹部的内径小于所述基片的直径,所述聚焦环内圈的上表面上设置有第二环形凹部,所述第二环形凹部的外径大于基片的直径,所述聚焦环的厚度大于所述第一环形凹部的深度,所述第二环形凹部的深度不小于所述聚焦环的厚度与第一环形凹部的深度的差值,其特征在于,在所述聚焦环内圈的下表面上还设置有所述第二环形凹部,以使所述聚焦环还可反向安装在所述第一环形凹部内。
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