[发明专利]一种制作半导体元件的方法在审
| 申请号： | 201510093659.0 | 申请日： | 2015-03-03 |
| 公开（公告）号： | CN105990149A | 公开（公告）日： | 2016-10-05 |
| 发明（设计）人： | 林建廷 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78;H01L29/10 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台湾*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种制作半导体元件的方法。首先提供一基底，该基底上具有一第一区域、一第二区域以及一第三区域，然后形成多个鳍状结构于该第一区域、该第二区域及该第三区域上。接着进行一第一鳍状结构切割(fin-cut)制作工艺，以在第一区域形成一第一鳍状结构、在第二区域形成一第二鳍状结构以及于第三区域形成一第三鳍状结构，其中第一鳍状结构的高度不同于第二鳍状结构及该第三鳍状结构的高度。之后再进行一第二鳍状结构切割制作工艺以降低第三鳍状结构的高度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制作 半导体 元件 方法 | ||
【主权项】：
一种制作半导体元件的方法，包含：提供一基底，该基底上具有第一区域、第二区域以及第三区域；形成多个鳍状结构于该第一区域、该第二区域及该第三区域上；进行一第一鳍状结构切割(fin‑cut)制作工艺，以在该第一区域形成一第一鳍状结构、在该第二区域形成一第二鳍状结构以及于该第三区域形成一第三鳍状结构，其中该第一鳍状结构的高度不同于该第二鳍状结构及该第三鳍状结构的高度；以及进行一第二鳍状结构切割制作工艺以降低该第三鳍状结构的高度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
