[发明专利]阶梯状组分渐变的AlN薄膜型冷阴极有效
| 申请号： | 201510094612.6 | 申请日： | 2015-03-03 |
| 公开（公告）号： | CN104658829B | 公开（公告）日： | 2017-05-03 |
| 发明（设计）人： | 陈平;赵德刚;朱建军;刘宗顺;江德生;杨辉 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01J1/304 | 分类号： | H01J1/304 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种阶梯状组分渐变的AlN薄膜型冷阴极，包括一n型SiC衬底；一n型金属电极，其制作在n型SiC衬底下表面；一AlN薄膜型冷阴极，其外延生长在n型SiC衬底上；一金属阳极，其位于AlN薄膜型冷阴极的上面，且不与AlN薄膜型冷阴极接触；一高压源，其正极连接金属阳极；一电流计，其正极连接高压源，负极与n型金属电极连接。本发明是利用负电子亲和势的优势，将电子发射到真空中。 | ||
| 搜索关键词： | 阶梯 组分 渐变 aln 薄膜 阴极 | ||
【主权项】：
一种阶梯状组分渐变的AlN薄膜型冷阴极，包括：一n型SiC衬底；一n型金属电极，其制作在n型SiC衬底下表面；一AlN薄膜型冷阴极，其外延生长在n型SiC衬底上；一金属阳极，其位于AlN薄膜型冷阴极的上面，且不与AlN薄膜型冷阴极接触；一高压源，其正极连接金属阳极；一电流计，其正极连接高压源，负极与n型金属电极连接。
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