[发明专利]聚吡咯/二氧化钛频率型薄膜QCM气敏传感器及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201510095391.4 申请日: 2015-03-04
公开(公告)号: CN104677767B 公开(公告)日: 2017-10-31
发明(设计)人: 王俊;崔绍庆 申请(专利权)人: 浙江大学
主分类号: G01N5/00 分类号: G01N5/00
代理公司: 杭州求是专利事务所有限公司33200 代理人: 林松海
地址: 310027 浙*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明公开了一种聚吡咯/二氧化钛频率型薄膜QCM气敏传感器及其制备方法。它是以AT切型,10MHz的石英晶体微天平(QCM)为基片,采用静电层层自组装聚吡咯/二氧化钛纳米复合物的方法制成气体敏感薄膜,经热处理除去水分子后,制得。其测得的频率信号灵敏度和分辨率远远优于对应的电阻信号,聚合的纳米复合的聚吡咯/二氧化钛自组装层能极大的提高元件的室温气敏响应。该方法制备工艺简单,成本低,尤其适用于批量生产。所制备的气敏传感器对氨气和三甲胺具有很高响应灵敏度和很好的回复性,能在室温下检测和长期稳定等特点,可广泛应用于工农业生产过程及大气环境中低浓度有毒气体的室温精确测量与控制。
搜索关键词: 吡咯 氧化 频率 薄膜 qcm 传感器 及其 制备 方法
【主权项】:
一种聚吡咯/二氧化钛频率型薄膜QCM气敏传感器,其特征在于:以QCM为基体,在基体表面上蒸发、光刻对称金电极,在金电极上连接有引线,在石英晶体基体和金电极表面上涂覆有气敏薄膜,气敏薄膜为聚吡咯/二氧化钛的自组装纳米复合物;所述的气敏薄膜由用修饰过的QCM基片上层层静电自组装二氧化钛纳米粒子和聚苯乙烯磺酸掺杂的聚吡咯而制得的。
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