[发明专利]一种半导体器件及其制备方法、电子装置有效
| 申请号： | 201510095432.X | 申请日： | 2015-03-04 |
| 公开（公告）号： | CN105990240B | 公开（公告）日： | 2019-06-28 |
| 发明（设计）人： | 周飞 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238;H01L21/28;H01L27/092 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 高伟;冯永贞 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体器件及其制备方法、电子装置。所述方法包括步骤S1：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有若干鳍片以及环绕所述鳍片的虚拟栅极，在所述半导体衬底上还形成有填充相邻所述虚拟栅极之间间隙的层间介电层；步骤S2：去除所述虚拟栅极，以露出所述鳍片；步骤S3：在所述鳍片上依次形成栅极介电层和覆盖层；步骤S4：执行硅离子注入步骤，以形成含硅覆盖层。本发明在沉积所述功函数金属层之前对所述TiN层执行所述硅离子注入步骤，以形成TiSiN层，用于控制覆盖层对于后续步骤中形成的导电层Al的扩散性能，同时将解决多阈值电压(multi‑Vt)的问题，此外，所述方法还可以有效地降低离子注入屏蔽效应(IMP shadowing effect)。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制备 方法 电子 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的制备方法，包括：步骤S1：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有若干鳍片以及环绕所述鳍片的虚拟栅极，在所述半导体衬底上还形成有填充相邻所述虚拟栅极之间间隙的层间介电层；步骤S2：去除所述虚拟栅极，以露出所述鳍片；步骤S3：在所述鳍片上依次形成栅极介电层和覆盖层；步骤S4：执行硅离子注入步骤，以形成含硅覆盖层；步骤S5：在所述覆盖层上形成功函数金属层；其中，所述含硅覆盖层能够降低所述功函数金属层离子注入的遮蔽效应。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
