[发明专利]一种VDMOS器件及其制作方法

摘要

本发明提供了一种VDMOS的制作方法，包括：在N型衬底上依次形成N型外延层、第一氧化层和氮化硅层；在所述氮化硅层上形成多晶硅层，并对所述多晶硅层进行刻蚀形成沟槽；在所述多晶硅层表面形成第二氧化层，对所述N型外延层进行P型离子注入，依次形成P‑体区和P+区；去除所述第二氧化层，对所述N型外延层进行N型离子注入，形成N+源区；在所述沟槽内及所述多晶硅层上形成介质层，得到第一结构；对第一结构进行刻蚀，形成接触孔。本发明还提供了采用上述制作方法形成的VDMOS器件。通过在JFET区域单独进行高浓度的N型离子的注入，有效降低了VDMOS中JFET区域的电阻。

主权项

1.一种VDMOS的制作方法，其特征在于，包括：在N型衬底上依次形成N型外延层、第一氧化层和氮化硅层；在所述氮化硅层上形成多晶硅层，并对所述多晶硅层进行刻蚀形成沟槽；在所述多晶硅层表面形成第二氧化层，对所述N型外延层进行P型离子注入，依次形成P‑体区和P+区；去除所述第二氧化层，对所述N型外延层进行N型离子注入，形成N+源区；在所述沟槽内及所述多晶硅层上形成介质层，得到第一结构；对所述第一结构进行刻蚀，形成接触孔；其中，所述对所述N型外延层进行P型离子注入，依次形成P‑体区和P+区，包括：对所述N型外延层进行P型离子注入，形成P‑体区，并在高温炉管中进行所述P‑体区的驱入；对所述N型外延层进行P型离子注入，形成P+区；所述对所述第一结构进行刻蚀，形成接触孔，包括：采用干法刻蚀，依次刻蚀掉所述介质层、所述氮化硅层、所述第一氧化层及所述N+源区，直至接触到所述P+区，形成接触孔。