[发明专利]一种提高可控硅承受阳极电压上升率的方法在审
| 申请号： | 201510096248.7 | 申请日： | 2015-03-04 |
| 公开（公告）号： | CN104821810A | 公开（公告）日： | 2015-08-05 |
| 发明（设计）人： | 逯乾鹏;赵莉;唐小亮;梁安江 | 申请（专利权）人： | 上海发电设备成套设计研究院;上海科达机电控制有限公司 |
| 主分类号： | H03K17/567 | 分类号： | H03K17/567;H03K17/08 |
| 代理公司： | 上海申汇专利代理有限公司 31001 | 代理人： | 翁若莹 |
| 地址： | 200240 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种提高可控硅承受阳极电压上升率的方法，由主回路电源为可控硅提供阳极正向电压，可控硅的门极与阴极间串接串联的触发控制电源及开关一，其特征在于：电源的负极串接开关二后与可控硅的门极相连，电源的正极与可控硅的阴极相连，当开关一断开且开关二闭合后，由电源给可控硅的门极与阴极之间提供反向电压偏置，从而即使主回路电源的电压上升率du/dt过高，也不会产生充电电流，使可控硅误导通。本发明保证了可控硅的门极与阴极之间为负偏，从而即使主回路电源的电压上升率du/dt过高，不会产生充电电流，使可控硅误导通，这样就提高了可控硅承受的阳极电压上升率du/dt的能力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 可控硅 承受 阳极 电压 上升 方法 | ||
【主权项】：
一种提高可控硅承受阳极电压上升率的方法，由主回路电源为可控硅提供阳极正向电压，可控硅的门极(G)与阴极(K)间串接串联的触发控制电源及开关一(1)，其特征在于：电源的负极串接开关二(2)后与可控硅的门极(G)相连，电源的正极与可控硅的阴极(K)相连，当开关一(1)断开且开关二(2)闭合后，由电源给可控硅的门极(G)与阴极(K)之间提供反向电压偏置，从而即使主回路电源的电压上升率du/dt过高，也不会产生充电电流，使可控硅误导通。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海发电设备成套设计研究院;上海科达机电控制有限公司，未经上海发电设备成套设计研究院;上海科达机电控制有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201510096248.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种宽调谐范围环形压控振荡器
- 下一篇：电子封装及MEMS封装
