[发明专利]半导体装置的制造方法及半导体制造装置

摘要

本发明涉及半导体装置的制造方法及半导体制造装置。本发明的实施方式通过减少积层芯片间的位置偏移量而改善积层芯片的良率，从而削减成本。实施方式的半导体装置的制造方法包括：获取第1半导体芯片的位置的步骤；及将第2半导体芯片安装在所述第1半导体芯片上的步骤。该半导体装置的制造方法还包括：获取所述第2半导体芯片的位置的步骤；计算第1偏移量的步骤，所述第1偏移量是所述第1半导体芯片的位置与所述第2半导体芯片的位置的偏移量；及进行所述第1偏移量是否为第1范围内的第1判定的步骤。

主权项

1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于包括：获取第1半导体芯片的位置的步骤；将第2半导体芯片安装在所述第1半导体芯片上的步骤；获取所述第2半导体芯片的安装后的位置的步骤；计算第1偏移量的步骤，所述第1偏移量包括：所述第1半导体芯片的位置与所述第2半导体芯片的安装后的位置之间的位置偏移量，及连结所述第1半导体芯片的第1对准坐标和第2对准坐标的线段与连结所述第2半导体芯片的第3对准坐标和第4对准坐标的线段所形成的角度的角度偏移量；以及进行所述第1偏移量是否为第1规格范围内的第1判定的步骤。