[发明专利]功率器件的分压结构的制备方法和功率器件有效
| 申请号： | 201510096631.2 | 申请日： | 2015-03-04 |
| 公开（公告）号： | CN105990153B | 公开（公告）日： | 2019-05-28 |
| 发明（设计）人： | 李理;马万里;赵圣哲 | 申请（专利权）人： | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/265;H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京友联知识产权代理事务所(普通合伙) 11343 | 代理人： | 尚志峰;汪海屏 |
| 地址： | 100871 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种功率器件的分压结构的制备方法和功率器件，其中，功率器件的分压结构的制备方法，包括：在晶圆片上形成外延层；在外延层上形成至少三个深结注入区；在至少三个深结注入区中的每两个相邻深结注入区形成的一个间隔区域形成P型浅结注入区，在至少三个深结注入区中的每两个相邻深结注入区形成的另一个间隔区域形成N型浅结注入区，其中，至少三个深结注入区的水平宽度小于P型浅结注入区的水平宽度，至少三个深结注入区的水平宽度小于N型浅结注入区的水平宽度。通过本发明的技术方案，可以消除表面氧化层的界面电荷对功率器件的分压结构的电势的影响，从而可以保证功率器件的分压结构的分压效果，进而提高功率器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 器件 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种功率器件的分压结构的制备方法，其特征在于，包括：在晶圆片上形成外延层；在所述外延层上形成至少三个深结注入区；在所述至少三个深结注入区中的每两个相邻深结注入区形成的一个间隔区域形成P型浅结注入区，在所述至少三个深结注入区中的每两个相邻深结注入区形成的另一个间隔区域形成N型浅结注入区，其中，所述至少三个深结注入区的水平宽度小于所述P型浅结注入区的水平宽度，所述至少三个深结注入区的水平宽度小于所述N型浅结注入区的水平宽度；采用离子注入工艺形成所述至少三个深结注入区；采用离子注入工艺形成所述N型浅结注入区，采用离子注入工艺形成所述P型浅结注入区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
