[发明专利]超结器件的制作方法和超结器件在审
| 申请号： | 201510096967.9 | 申请日： | 2015-03-04 |
| 公开（公告）号： | CN105990154A | 公开（公告）日： | 2016-10-05 |
| 发明（设计）人： | 李理;马万里;赵圣哲 | 申请（专利权）人： | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 陶敏;黄健 |
| 地址： | 100871 北京市海*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种超结器件制作方法和超结器件，其中超结器件制作方法包括：在第一导电类型的衬底上形成第一导电类型的外延层，在所述外延层中形成至少一个第二导电类型的深柱区，在所述外延层的表层形成第一导电类型的第一浅层区，在所述外延层的表层形成第二导电类型的第二浅层区层，所述第一浅层区和所述第二浅层区相邻，在所述外延层上形成氧化层。本发明的超结器件制作方法和超结器件通过在氧化层与分压结构之间形成有第二导电类型的离子浅层注入区，提高了分压结构表面的第二导电类型的离子浓度，减小了氧化层中正电荷在表面形成的电子积累形成的电场尖峰，提高了超结器件的击穿电压。 | ||
| 搜索关键词： | 器件 制作方法 | ||
【主权项】：
一种超结器件的制作方法，其特征在于，包括：在第一导电类型的衬底上形成第一导电类型的外延层；在所述外延层中形成至少一个第二导电类型的深柱区；在所述外延层的表层形成第一导电类型的第一浅层区；在所述外延层的表层形成第二导电类型的第二浅层区层，所述第一浅层区和所述第二浅层区相邻；在所述第一浅层区和所述第二浅层区表层形成氧化层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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