[发明专利]半导体制造装置及半导体装置的制造方法有效

专利信息
申请号: 201510097273.7 申请日: 2015-03-04
公开(公告)号: CN105990187B 公开(公告)日: 2019-02-15
发明(设计)人: 藤田努 申请(专利权)人: 东芝存储器株式会社
主分类号: H01L21/67 分类号: H01L21/67;H01L21/78
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 张世俊
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明涉及一种半导体制造装置以及半导体装置的制造方法。本发明的实施方式是当在将多个半导体零件隔着接着层贴附在扩张片上的状态下拉伸扩张片而将接着层分割时,抑制未分割区域的产生。实施方式的半导体制造装置包括:第二环,对于具备第一环、被所述第一环固定的扩张片及隔着接着层贴附在所述扩张片上并且相互被分割的多个半导体零件的被处理体,压接所述扩张片;第三环,压制所述第一环;以及驱动机构,使所述被处理体及所述第二环中的至少一个升降,以使所述第一环与所述第二环之间产生高低差而拉伸所述扩张片;并且所述第二环的外周或所述第三环的内周具有如下形状:与第一方向正交的第二方向的宽度比所述第一方向的宽度小。
搜索关键词: 半导体 制造 装置 方法
【主权项】:
1.一种半导体制造装置,其特征在于包括:扩张环,对于具备晶片环、周缘被所述晶片环固定的扩张片、及隔着接着层贴附在所述扩张片上并且相互被分割后的多个半导体零件的被处理体,以与所述扩张片重叠的方式被抵压;压制用环,具有中空部,以在所述中空部中至少露出所述多个半导体零件的方式压制所述晶片环;以及驱动机构,能使所述被处理体及所述扩张环中的至少一个升降,以使所述晶片环与所述扩张环之间产生高低差而拉伸所述扩张片;并且当拉伸所述扩张片时,所述扩张片的垂直于树脂行进方向的垂直方向的所述压制用环的内周与所述扩张环的外周的间隔,小于所述树脂行进方向的所述间隔。
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