[发明专利]一种开关电容接入的高频链双向直流变压器及其控制方法有效
申请号: | 201510097371.0 | 申请日: | 2015-03-05 |
公开(公告)号: | CN104702114B | 公开(公告)日: | 2017-07-18 |
发明(设计)人: | 赵彪;宋强;刘文华;刘国伟;赵宇明;姚森敬 | 申请(专利权)人: | 清华大学;深圳供电局有限公司 |
主分类号: | H02M3/335 | 分类号: | H02M3/335;H02H7/12 |
代理公司: | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙)11201 | 代理人: | 廖元秋 |
地址: | 100084*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种开关电容接入的高频链双向直流变压器,属于电力技术领域;主要由n台相同的直流变换器单元在一个端口串联和另一个端口并联组成,n为任意正整数;每台直流变换单元均由十一个半导体开关、二个直流电容、一个高频电感、一个高频变压器组成;n台直流变换单元中的k台为冗余工作状态,正常情况下,只将n‑k台直流变换单元的高压侧串联连接到高压直流侧、低压侧并联到低压直流侧;当任意一台直流变换单元的内部出现损坏或故障时,将任一台冗余的直流变换单元投入运行;当高压直流侧或低压直流侧发生短路故障时,将所有直流变换单元的半导体开关均关断,同时保持电容电压。本发明减小系统环流,简化故障处理和冗余技术,提高可靠性。 | ||
搜索关键词: | 一种 开关 电容 接入 高频 双向 直流 变压器 及其 控制 方法 | ||
【主权项】:
一种开关电容接入的高频链双向直流变压器,其特征在于:该高频链双向直流变压器主要由n台相同的直流变换器单元(SCDAB1、SCDAB2、…SCDABn)组成,n为任意正整数;第一台直流变换器单元(SCDAB1)的高压侧第一连接端子(T1)通过直流辅助电感(L1)与高压直流侧的正极相连;第m台直流变换器单元(SCDABm)的高压侧第二连接端子(T2)与第m+1台直流变换器单元(SCDABm+1)的高压侧第一连接端子(T1)相连,1≤m<n;第n台直流变换器单元(SCDABn)的高压侧第二连接端子(T2)与高压直流侧的负极相连;n台直流变换器单元(SCDAB1、SCDAB2、…SCDABn)的低压侧连接端子(T3)均与低压直流侧的正极相连;n台直流变换器单元(SCDAB1、SCDAB2、…SCDABn)的低压侧连接端子(T4)均与低压直流侧的负极相连;所述的直流变换单元(SCDAB1、SCDAB2、…SCDABn)均由十一个半导体开关(S1~S11)、二个直流电容(C1、C2)、一个高频电感(L2)、一个高频变压器(T)组成;第一半导体开关(S1)的发射极与第二半导体开关(S2)的集电极连接在第一连接端子(T1);第二、第四和第六半导体开关(S2、S4和S6)的发射极与第一直流电容(C1)的负极连接在第二连接端子(T2);第一、第三和第五半导体开关(S1、S3、S5)的集电极与第一直流电容(C1)的正极连接在第一公共连接点(P1);第三半导体开关(S3)的发射极与第四半导体开关(S4)的集电极连接在第二公共连接点(P2);第五半导体开关(S5)的发射极与第六半导体开关(S6)的集电极连接在第三公共连接点(P3);第七、第九半导体开关(S7、S9)的发射极与第十一半导体开关(S11)的集电极连接在第三连接端子(T3);第八、第十半导体开关(S8、S10)的集电极与第二直流电容(C2)的负极连接在第四连接端子(T4);第七半导体开关(S7)的发射极与第八半导体开关(S8)的集电极连接在第四公共连接点(P4);第九半导体开关(S9)的发射极与第十半导体开关(S10)的集电极连接在第五公共连接点(P5);第十一半导体开关(S11)的集电极与第二直流电容(C2)的正极相连;第二、第三公共连接点(P2、P3)与高频电感(L2)以及高频变压器(T)的高压侧绕组串联连接;第四、第五公共连接点(P4、P5)与高频变压器(T)的低压侧绕组串联连接。
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